說到我們身邊無處不在的IC芯片，很多人對它并不陌生。比如我們每天使用的手機(jī)、電視、電腦中的芯片，其實就是IC芯片，翻譯成中文就是集成電路。IC芯片的結(jié)構(gòu)是將電容、電阻等大量微電子元器件形成的集成電路放在基板上，從而制出芯片。芯片測試設(shè)備行業(yè)的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢芯片生產(chǎn)需經(jīng)過幾百步的工藝，任何一步的錯誤都可能導(dǎo)致器件失效。因此，芯片檢測環(huán)節(jié)至關(guān)重要，采用好的芯片測試設(shè)備和方法是提高芯片制造水平的關(guān)鍵之一。
如何制作IC芯片？IC芯片主要由無數(shù)微型電子設(shè)備和部件組成，因此非常精確。通過相應(yīng)的制造工藝，將電路中所需的晶體管、電阻、電容、二極管等元件和布線連接在一起，制成一小塊甚至幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片，然后封裝在一個管殼中，成為具有所需電路功能的微結(jié)構(gòu)。所需專用設(shè)備主要包括晶圓制造環(huán)節(jié)所需的光刻機(jī)、化學(xué)汽相淀積（CVD）設(shè)備、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、表面處理設(shè)備等；封裝環(huán)節(jié)所需的切割減薄設(shè)備、度量缺陷檢測設(shè)備、鍵合封裝設(shè)備等；測試環(huán)節(jié)所需的測試機(jī)、分選機(jī)、探針臺等；以及其他前端工序所需的擴(kuò)散、氧化及清洗設(shè)備等。 這些設(shè)備的制造需要綜合運(yùn)用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)含量高、制造難度大、設(shè)備價值高等特點(diǎn)。
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值得注意的是，在整個生產(chǎn)過程中，所有的元件都在結(jié)構(gòu)上形成了一個整體，從而將電子元件向小型化、低功耗、高可靠性邁出了一大步。當(dāng)然，電路越精確，檢測難度就越大。目前國內(nèi)檢測芯片時，往往采用層層剝離芯片，然后用電子顯微鏡拍攝芯片的每一層表面。這種傳統(tǒng)的檢測會給芯片帶來一定的破壞性。X射線檢測是利用X射線可以穿透物質(zhì)和在物質(zhì)中具有衰減的特性，發(fā)現(xiàn)缺陷的一種無損檢測方法。X射線的波長很短一般為0.001～0.1nm。X射線以光速直線傳播，不受電場和磁場的影響，可穿透物質(zhì)，在穿透過程中有衰減，能使膠片感光。
X-RAY檢測作為目前市場上的一種主流檢測，主要采用X光機(jī)產(chǎn)生的X射線對芯片表面進(jìn)行照射，由于X射線的穿透力極強(qiáng)，在穿透芯片后可以成像，這樣就可以將芯片的內(nèi)部缺陷一覽無遺。當(dāng)X射線穿透物質(zhì)時，由于射線與物質(zhì)的相互作用，將產(chǎn)生一系列極為復(fù)雜的物理過程，其結(jié)果使射線被吸收和散射而失去一部分能量，強(qiáng)度相應(yīng)減弱，這種現(xiàn)象稱之為射線的衰減。X射線探傷的實質(zhì)是根據(jù)被檢驗工件與其內(nèi)部缺陷介質(zhì)對射線能量衰減程度不同，而引起射線透過工件后強(qiáng)度差異，使感光材料（膠片）上獲得缺陷投影所產(chǎn)生的潛影，經(jīng)過暗室處理后獲得缺陷影像，再對照標(biāo)準(zhǔn)評定工件內(nèi)部缺陷的性質(zhì)和底片級別。
總而言之，x光對芯片檢測沒有損傷，所以也叫無損檢測。鋰電池、LED燈珠、半導(dǎo)體等產(chǎn)品的缺陷檢測除了可以檢測芯片外，根據(jù)觀察其缺陷的性質(zhì)、大小和部位來評定材料或制品的質(zhì)量，從而防止由于材料內(nèi)部缺陷、加工不良而引起的重大事故。
