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失效分析
- 非破壞分析
- · 3D數(shù)碼顯微鏡 · X-Ray檢測 · 超聲波掃描(SAT檢測)
- 電性檢測
- · 半導(dǎo)體組件參數(shù)分析 · 電特性測試 · 點(diǎn)針信號量測 · 靜電放電/過度電性應(yīng)力/閂鎖試驗(yàn)
- 失效點(diǎn)定位
- · 砷化鎵銦微光顯微鏡 · 激光束電阻異常偵測 · Thermal EMMI(InSb)
- 破壞性物理分析
- · 開蓋測試 · 芯片去層 · 切片測試
- 物性分析
- · 剖面/晶背研磨 · 離子束剖面研磨(CP) · 掃描式電子顯微鏡(SEM)
- 工程樣品封裝服務(wù)
- · 晶圓劃片 · 芯片打線/封裝
- 競爭力分析
- · 芯片結(jié)構(gòu)分析
芯片去層 (Delayer)
描述:
交互使用各種不同處理方式(離子蝕刻/化學(xué)藥液蝕刻/機(jī)械研磨),使芯片本身多層結(jié)構(gòu)((Passivation、Metal、RDL、PI)可一層一層去除,也就是芯片去層(Delayer)。透過芯片研磨(Polishing)與去層(Delayer)可逐層檢視是否有缺陷,并可提供后續(xù)分析試驗(yàn),清楚解析出每一層電路布線結(jié)構(gòu)。
分析范圍:
去層主要應(yīng)用在失效分析領(lǐng)域中,涉及多層結(jié)構(gòu)((Passivation、Metal、RDL、PI)層。
失效分析案例中去層圖片:
去層流程:芯片去層(delayer)→OM檢視→金屬層→Contact層→SUB層
芯片去層(delayer)至SUB→OM檢視拍攝→SEM電子及二次電子掃描
創(chuàng)芯在線實(shí)驗(yàn)室檢測優(yōu)勢:
1、交期快、成功率高,去層方法多樣,領(lǐng)先市場;
2、為終端客戶在失效分析案件中更直觀準(zhǔn)確的定位失效機(jī)理。