3
失效分析
- 非破壞分析
- · 3D數(shù)碼顯微鏡 · X-Ray檢測(cè) · 超聲波掃描(SAT檢測(cè))
- 電性檢測(cè)
- · 半導(dǎo)體組件參數(shù)分析 · 電特性測(cè)試 · 點(diǎn)針信號(hào)量測(cè) · 靜電放電/過(guò)度電性應(yīng)力/閂鎖試驗(yàn)
- 失效點(diǎn)定位
- · 砷化鎵銦微光顯微鏡 · 激光束電阻異常偵測(cè) · Thermal EMMI(InSb)
- 破壞性物理分析
- · 開(kāi)蓋測(cè)試 · 芯片去層 · 切片測(cè)試
- 物性分析
- · 剖面/晶背研磨 · 離子束剖面研磨(CP) · 掃描式電子顯微鏡(SEM)
- 工程樣品封裝服務(wù)
- · 晶圓劃片 · 芯片打線/封裝
- 競(jìng)爭(zhēng)力分析
- · 芯片結(jié)構(gòu)分析
芯片打線/封裝
描述: 芯片(Die)必須與構(gòu)裝基板完成電路連接才能發(fā)揮既有的功能,焊線作業(yè)就是將芯片(Die)上的信號(hào)以金屬線鏈接到基板。
應(yīng)用范圍:
項(xiàng)目基板開(kāi)發(fā)及封裝;
客退品重工樣品制備、晶背樣品制備;
推拉力測(cè)試 (Ball Shear/ Wire Pull/Solder Ball Shear/Die Shear);
挑線/封膠/封蓋;
各項(xiàng)焊線方式:驅(qū)動(dòng)芯片、COB、芯片對(duì)芯片、植球。
檢測(cè)圖片:
Stud Bumping:在焊墊上植一個(gè)球,主要線材為金線。
Backside樣品制備:第一焊點(diǎn)為球型焊接第二點(diǎn)為楔型頭,焊線路徑以球型接點(diǎn)為中心改變位置,主要線材為金線、銅線。
COB 打線:COB打線 第一接點(diǎn)與第二接點(diǎn)皆為楔型頭,焊線方向必須與接墊(Pad)平行,主要線材為鋁線。
Drive IC打線:驅(qū)動(dòng)芯片打線。
陶瓷封裝: