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失效分析
- 非破壞分析
- · 3D數(shù)碼顯微鏡 · X-Ray檢測(cè) · 超聲波掃描(SAT檢測(cè))
- 電性檢測(cè)
- · 半導(dǎo)體組件參數(shù)分析 · 電特性測(cè)試 · 點(diǎn)針信號(hào)量測(cè) · 靜電放電/過(guò)度電性應(yīng)力/閂鎖試驗(yàn)
- 失效點(diǎn)定位
- · 砷化鎵銦微光顯微鏡 · 激光束電阻異常偵測(cè) · Thermal EMMI(InSb)
- 破壞性物理分析
- · 開(kāi)蓋測(cè)試 · 芯片去層 · 切片測(cè)試
- 物性分析
- · 剖面/晶背研磨 · 離子束剖面研磨(CP) · 掃描式電子顯微鏡(SEM)
- 工程樣品封裝服務(wù)
- · 晶圓劃片 · 芯片打線/封裝
- 競(jìng)爭(zhēng)力分析
- · 芯片結(jié)構(gòu)分析
電特性測(cè)試(Electrical Test)
描述:
根據(jù)規(guī)格書(shū)中廠商所指定的器件引腳及相關(guān)說(shuō)明,使用半導(dǎo)體管特性圖示儀,檢查復(fù)驗(yàn)樣品是否有開(kāi)路、短路、阻抗異常等問(wèn)題,以此來(lái)確認(rèn)產(chǎn)品的失效模式。
分析范圍:
半導(dǎo)體元器件、PCBA。
電特性測(cè)試案例:
電特性測(cè)試設(shè)備圖片:
創(chuàng)芯在線實(shí)驗(yàn)室設(shè)備優(yōu)勢(shì):
1、針對(duì)復(fù)雜的集成電路量測(cè)內(nèi)部二極管特性更快,更直觀的反應(yīng)芯片沒(méi)有有無(wú)開(kāi)路、短路、漏電、參數(shù)漂移等問(wèn)題;
2、該設(shè)備對(duì)二極管、MOS管、三極管基本的參數(shù)能夠更直觀的反應(yīng)其I-V特性;