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失效分析
剖面/晶背研磨
描述: 利用砂紙或鉆石砂紙,搭配研磨頭作局部研磨(Polishing),加上后續(xù)的拋光,可處理出清晰的樣品表面。剖面、斷面研磨與晶背研磨(Backside Polishing),都是為了可以銜接后續(xù)的分析檢測。
研磨(Polishing)基本流程
切割:利用切割機(jī)裁將樣品裁切成適當(dāng)尺寸;
冷埋:利用混合膠填滿樣品隙縫,增強(qiáng)樣品之結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,避免受研磨應(yīng)力而造樣品毀損;
研磨:樣品以不同粗細(xì)之砂紙 (或鉆石砂紙),進(jìn)行研磨;
拋光:于絨布轉(zhuǎn)盤上加入適當(dāng)?shù)膾伖庖?,進(jìn)行拋光以消除研磨所殘留的細(xì)微刮痕。
應(yīng)用范圍:
芯片產(chǎn)品,如覆晶封裝( Flip Chip)、鋁/銅制程結(jié)構(gòu)、C-MOS Image Sensor;
PCB/PCBA等各種板材或成品;LED成品。
檢測圖片:
晶背研磨(Backside Polishing):
一般芯片晶背研磨
COB封裝形式晶背研磨
晶背研磨后, OBIRCH分析影像
剖面研磨 (Cross-section):
Package樣品剖面研磨
MOSFET剖面研磨
銅制程剖面研磨