失效分析
- 非破壞分析
- · 3D數(shù)碼顯微鏡 · X-Ray檢測 · 超聲波掃描(SAT檢測)
- 電性檢測
- · 半導(dǎo)體組件參數(shù)分析 · 電特性測試 · 點(diǎn)針信號量測 · 靜電放電/過度電性應(yīng)力/閂鎖試驗(yàn)
- 失效點(diǎn)定位
- · 砷化鎵銦微光顯微鏡 · 激光束電阻異常偵測 · Thermal EMMI(InSb)
- 破壞性物理分析
- · 開蓋測試 · 芯片去層 · 切片測試
- 物性分析
- · 剖面/晶背研磨 · 離子束剖面研磨(CP) · 掃描式電子顯微鏡(SEM)
- 工程樣品封裝服務(wù)
- · 晶圓劃片 · 芯片打線/封裝
- 競爭力分析
- · 芯片結(jié)構(gòu)分析
點(diǎn)針信號量測
描述:透過OM顯微鏡,利用一般點(diǎn)針(Prober),搭接于芯片內(nèi)部線路,使其可以外接各類電性量測設(shè)備,以輸入信號及量測電性曲線??梢罁?jù)不同需求,搭配多種設(shè)備進(jìn)行量測,借助點(diǎn)針(Prober)進(jìn)行電性量測,對于半導(dǎo)體組件失效分析,均能提供直接且快速的信息。
應(yīng)用范圍:
組件電性特性分析;
微機(jī)電及芯片微結(jié)構(gòu)研究;
可應(yīng)用在高頻電路及FIB Probing PAD及Active Probe (200 MHz);
當(dāng)分析樣品需使用如InGaAs/OBIRCH/TLP/ESD/Curve Tracer等儀器卻無適當(dāng)治具或socket可用時,可用點(diǎn)針方式提供信號輸入輸出;
Wafer可點(diǎn)針進(jìn)行各項(xiàng)測試;
實(shí)驗(yàn)室另架設(shè)有Laser System,可做Laser Cut。
柵極電壓掃描曲線:
Vgs對Ids的曲線圖,當(dāng)晶體管的Vds電壓固定時,變動Vgs則Ids亦會改變,可以得到一條Vgs 對Ids的曲線圖。此曲線可以研究在信道中的載子(電子或電洞)是如何被提升到傳導(dǎo)帶,而信道形成的臨界電壓及線性區(qū)的臨界電壓都可以被測得,可研究晶體管相當(dāng)重要的特性曲線。
測試圖片和曲線:
設(shè)備圖片:
創(chuàng)芯在線實(shí)驗(yàn)室設(shè)備優(yōu)勢:
1、偵測范圍廣:BGA Ball, 各類型Die Pad, FIB Pad,等晶圓級量測;
2、有助于失效分析快速確認(rèn)失效模式,排查失效點(diǎn),縮小失效范圍,為去層分析和FIB分析做鋪墊。