材料分析
芯片電路修改/點(diǎn)針墊偵錯
描述: 聚焦式離子束顯微鏡(Focus Ion Beam),簡稱FIB)電路修改,原理是利用鎵離子撞擊樣品表面,搭配有機(jī)氣體進(jìn)行有效的選擇性蝕刻(切斷電路)、沉積導(dǎo)體或非導(dǎo)體(新接電路)。
電路修改(FIB circuit) 通過聚焦式離子束顯微鏡(Focus Ion Beam),即可提供芯片設(shè)計(jì)者直接修改芯片電路,無需重復(fù)改光罩重新投片,不僅可降低經(jīng)費(fèi),更可加速芯片設(shè)計(jì)原型(Prototype)的驗(yàn)證與量產(chǎn)上市時間(Time-to-market)。
點(diǎn)針墊偵錯 (CAD Probe Pad) 在芯片上做信號擷取點(diǎn),通過FIB將芯片設(shè)計(jì)者欲量測的信號點(diǎn)引出到芯片表面,并利用機(jī)械式探針(Mechanical Prober) 擷取芯片內(nèi)部信號。
晶背電路修改 隨著覆晶封裝基材限制,與先進(jìn)制程演持續(xù)進(jìn)到7nm,金屬繞線層增加以及更為復(fù)雜緊密的電路布局,從晶背(Silicon)進(jìn)行電路修改提升可行性與成功率。
應(yīng)用范圍:
可達(dá)4.5nm分辨率,可執(zhí)行16/14/10nm制程之線路修補(bǔ);
最大可放置8吋晶圓;
支持 Knights Merlin CAD Navigation 軟件;
高準(zhǔn)確度雷射導(dǎo)引Stage;
內(nèi)建紅外線IR顯微鏡可觀察CMP層及絕緣硅層;
金屬聯(lián)機(jī)材質(zhì)有鎢(阻值較低)及白金(速度較快)兩種選擇;
建置FEI DE/DX蝕刻氣體,應(yīng)用于高深寬比、緊密電路。
檢測圖片:
芯片正面施作修改:
FIB點(diǎn)針墊偵錯:
復(fù)雜電路施工:
利用FIB在芯片內(nèi)部加電阻:
晶背電路修改:
檢測設(shè)備能量:
提升電路修改良率建議:
去封膠、打線或封裝后,先回測再進(jìn)行FIB;
同一顆芯片上執(zhí)行越多的修改內(nèi)容,F(xiàn)ail風(fēng)險(xiǎn)會越高;
FIB聯(lián)機(jī)的阻值較原芯片聯(lián)機(jī)要高,若有低電阻聯(lián)機(jī)過高電流需求,需先注明;
提供GDS II以利定位(局部區(qū)域或?qū)訑?shù)即可)作業(yè),有助良率提升。