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失效分析
- 非破壞分析
- · 3D數(shù)碼顯微鏡 · X-Ray檢測(cè) · 超聲波掃描(SAT檢測(cè))
- 電性檢測(cè)
- · 半導(dǎo)體組件參數(shù)分析 · 電特性測(cè)試 · 點(diǎn)針信號(hào)量測(cè) · 靜電放電/過(guò)度電性應(yīng)力/閂鎖試驗(yàn)
- 失效點(diǎn)定位
- · 砷化鎵銦微光顯微鏡 · 激光束電阻異常偵測(cè) · Thermal EMMI(InSb)
- 破壞性物理分析
- · 開(kāi)蓋測(cè)試 · 芯片去層 · 切片測(cè)試
- 物性分析
- · 剖面/晶背研磨 · 離子束剖面研磨(CP) · 掃描式電子顯微鏡(SEM)
- 工程樣品封裝服務(wù)
- · 晶圓劃片 · 芯片打線/封裝
- 競(jìng)爭(zhēng)力分析
- · 芯片結(jié)構(gòu)分析
離子束剖面研磨(CP)
描述: 離子束剖面研磨、離子束截面研磨(Cross Section Polisher, 簡(jiǎn)稱(chēng)CP),是利用離子束切割方式,去切削出樣品的剖面,不同于一般樣品剖面研磨,離子束切削的方式可避免因研磨過(guò)程所產(chǎn)生的應(yīng)力影響。
任何材料都可以以離子束剖面研磨(CP)進(jìn)行約1mm大范圍剖面的制備,由于不受應(yīng)力影響,因此更適用于樣品表面之材料特性的分析(例如EDS、AES、EBSD等表面分析),有效樣品處理范圍約可達(dá)500μm。
應(yīng)用范圍:
軟性材料,例如銅、鋁、金、錫、高分子材料(須特別注意熔融溫度);
硬性材料,例如陶瓷、玻璃等;
復(fù)合材料,由金屬材料、陶瓷材料或高分子材料等兩種或以上復(fù)合的多相材料。
檢測(cè)圖片:
bump:
TSV孔:
RDL銅層:
檢測(cè)設(shè)備:
檢測(cè)優(yōu)勢(shì):
1. 兼容平面和截面兩種加工方式;
2. 加工效率高,最大加工速率>500μm/h;
3. 可加工樣品尺寸大:平面加工最大Ф50mm×H25mm,截面加工最大20(W)×12(D)×7(H)mm;
4. 支持多種擴(kuò)展附件,例如真空轉(zhuǎn)移盒、冷凍樣品臺(tái);
5. 操作便捷,采用觸摸屏控制,高精度光鏡頂位。