芯片測試，一般是從測試的對象上分為最終測試和晶圓測試，分別指的是是已經(jīng)封裝好的芯片，和尚未進行封裝的芯片。為啥要分兩段？簡單的說，因為封裝也是有cost的，為了盡可能的節(jié)約成本，可能會在芯片封裝前，先進行一部分的測試，以排除掉一些壞掉的芯片。而為了保證出廠的芯片都是沒問題的，最終測試也即FT測試是最后的一道攔截，也是必須的環(huán)節(jié)。
一、如以環(huán)境條件來劃分，可分為包括各種應力條件下的模擬試驗和現(xiàn)場試驗;
二、以試驗項目劃分，可分為環(huán)境試驗、壽命試驗、加速試驗和各種特殊試驗;
三、若按試驗目的來劃分，則可分為篩選試驗、鑒定試驗和驗收試驗;
四、若按試驗性質(zhì)來劃分，也可分為破壞性試驗和非破壞性試驗兩大類。
通常慣用的分類法，是把可靠性試驗歸納為五大類:
A.環(huán)境試驗B.壽命試驗C.篩選試驗D.現(xiàn)場使用試驗E.鑒定試驗
_20211019151742_721.jpg "芯片測試:電子元件做可靠性試驗方法及分類")
可靠性環(huán)境試驗分類有哪些？
部分可靠性專著把樣品置于自然或人工模擬的儲存、運輸和工作環(huán)境中的試驗統(tǒng)稱為環(huán)境試驗，是考核產(chǎn)品在各種環(huán)境(振動、沖擊、離心、溫度、熱沖擊、潮熱、鹽霧、低氣壓等)條件下的適應能力，是評價產(chǎn)品可靠性的重要試驗方法之一。一般主要有以下幾種：
1、穩(wěn)定性烘培，即高溫存儲試驗
試驗目的：考核在不施加電應力的情況下，高溫存儲對產(chǎn)品的影響。有嚴重缺陷的產(chǎn)品處于非平衡態(tài)，是一種不穩(wěn)定態(tài)，由非平衡態(tài)向平衡態(tài)的過渡過程既是誘發(fā)有嚴重缺陷產(chǎn)品失效的過程，也是促使產(chǎn)品從非穩(wěn)定態(tài)向穩(wěn)定態(tài)的過渡過程。
2、溫度循環(huán)試驗
試驗目的：考核產(chǎn)品承受一定溫度變化速率的能力及對極端高溫和極端低溫環(huán)境的承受能力.是針對產(chǎn)品熱機械性能設(shè)置的。當構(gòu)成產(chǎn)品各部件的材料熱匹配較差，或部件內(nèi)應力較大時，溫度循環(huán)試驗可引發(fā)產(chǎn)品由機械結(jié)構(gòu)缺陷劣化產(chǎn)生的失效。如漏氣、內(nèi)引線斷裂、芯片裂紋等。
3、熱沖擊試驗
試驗目的：考核產(chǎn)品承受溫度劇烈變化，即承受大溫度變化速率的能力。試驗可引發(fā)產(chǎn)品由機械結(jié)構(gòu)缺陷劣化產(chǎn)生的失效.熱沖擊試驗與溫度循環(huán)試驗的目的基本一致，但熱沖擊試驗的條件比溫度循環(huán)試驗要嚴酷得多的熱容量都是保證試驗條件的重要因素。
4、低氣壓試驗
試驗目的：考核產(chǎn)品對低氣壓工作環(huán)境(如高空工作環(huán)境)的適應能力。當氣壓減小時空氣或絕緣材料的絕緣強度會減弱;易產(chǎn)生電暈放電、介質(zhì)損耗增加、電離;氣壓減小使散熱條件變差，會使元器件溫度上升。這些因素都會使被試樣品在低氣壓條件下喪失規(guī)定的功能，有時會產(chǎn)生永久性損傷。
5、耐濕試驗
試驗目的：以施加加速應力的方法評定微電路在潮濕和炎熱條件下抗衰變的能力，是針對典型的熱帶氣候環(huán)境設(shè)計的。微電路在潮濕和炎熱條件下衰變的主要機理是由化學過程產(chǎn)生的腐蝕和由水汽的浸入、凝露、結(jié)冰引起微裂縫增大的物理過程。試驗也考核在潮濕和炎熱條件下構(gòu)成微電路材料發(fā)生或加劇電解的可能性，電解會使絕緣材料電阻宰發(fā)生變化，使抗介質(zhì)擊穿的能力變?nèi)酢?/p>
6、鹽霧試驗
試驗目的：以加速的方法評定元器件外露部分在鹽霧、潮濕和炎熱條件下抗腐蝕的能力，是針對熱帶海邊或海上氣候環(huán)境設(shè)計的.表面結(jié)構(gòu)狀態(tài)差的元器件在鹽霧、湘濕和炎熱條件下外露部分會產(chǎn)生腐蝕。
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