隨著半導體可靠性的提高，前大多半導體器件能承受長期的THB試驗而不會產生失效，因此用來確定成品質量的測試時間也相應增加了許多。
原理：
試樣在高溫高濕度以及偏壓的苛刻環(huán)境下，加速濕氣穿過外部的保護層，或沿著金屬和外保護層的分界面穿透，造成試樣的失效。
標準：
JESD22-110-B
模塊設計：
無
設備物料：
1、控制的環(huán)境：需要在上升至特定的測試環(huán)境或從特定的環(huán)境下降時，保證壓力、溫度和相對濕度的HAST試驗箱。
2、溫度曲線記錄：需要記錄每個測試循環(huán)的溫度曲線，以保證能核實壓力的有效性；
3、試樣必須位于溫度梯度最小處，離內壁至少3cm，不能接觸到熱源的直接輻射加熱；
4、減少污染
5、去除離子污染.
6、去離子水
方法：
1、溫度，相對濕度和時間
2、偏壓方法
a）減少功率消耗
b）盡量快地交換針偏壓
c）盡量多地在芯片上分布位差
d）在可運行的范圍內盡量加大電壓
e）以下兩種方法可以滿足指導方法：
1）連續(xù)偏壓-直流偏壓需要一直施加
當失效溫度比HAST試驗箱的環(huán)境溫度高≤10℃時，或者加熱損耗小于200mW時失效溫度未知時，連續(xù)偏壓比循環(huán)偏壓要嚴格的多。當加熱損耗達到200mW，就可以計算失效溫度。如果失效溫度超過了HAST試驗箱溫度5℃，則需要在結果中記錄失效溫度高于HAST試驗箱溫度，因為產生了加速失效機理。
2）循環(huán)偏壓
施加在試樣上的直流電壓需要以適當?shù)念l率進行中斷。如果偏壓的設置產生了HAST試驗箱溫度的上升，OTia，達到10℃，當為了最優(yōu)化特定試樣類型時，循環(huán)偏壓要比連續(xù)偏壓更為嚴格。能量耗散導致的加熱會造成濕氣的散開，減少和濕氣有關的失效機制。
當試樣不發(fā)生能量耗散時，循環(huán)偏壓在中斷時允許濕氣的進入。50%周期的循環(huán)對大多數(shù)的塑料封裝電路板最合適。對≥2mn厚度的需要≤2h，而<2m厚度的需要≤30min。當失效溫度超過HAST試驗箱5℃或更多時，需要用知名的熱阻抗和耗散公式來計算失效的溫度。
3、偏壓的選擇與記錄
4、測試樣品需要暴露在特定的溫濕度以及特定的電偏壓環(huán)境下。需要避免試樣過熱，干燥或者局部加熱或冷卻。
5、升
達到穩(wěn)定的溫度和相對濕度的時間不超過3個小時。通過保證測試倉內的溫度始終超過濕球溫度計的溫度，來保證不會有水分凝結。升溫速率也不能太快以至于DUT溫度低于濕球溫度計溫度。干濕溫度計需要一直記錄溫度，保證在主要的加熱開始時，相對濕度在50%以上。在干燥的實驗室內，HAST試驗箱內環(huán)境可能比這還要干燥。
6、降
第一階段，稍微下降到一定標準壓力(濕球溫度104℃）需要足夠長的時間保證試樣不產生由于下降過快導致的認為因素。但是也不要超過3個小時。
第二階段的下降時從濕球溫度的104℃到室溫需要讓測試倉排出壓力。沒有時間的限.
制，也可以對容器進行強冷。
下降的部分都不允許水的凝結，為了保證測試倉的溫度始終超過濕球溫度計。
下降時需要保證模塑料封裝硬模的濕度。因此，在第一段下降的過程中，相對濕度不能小于50%。
失效判定：
如果達到了參量的限制，或者在最惡劣的環(huán)境下不能證明其功能性，則判定該試樣在HAST測試中失效。
上述就是此次創(chuàng)芯檢測帶來的“HAST高壓加速老化試驗判斷失效”相關內容，希望對大家有幫助，我們將在后期帶來更多精彩內容。我們的檢測服務范圍包括：電子元器件測試驗證、IC真假鑒別產品設計選料、失效分析，功能檢測、工廠來料檢驗以及編帶等多種測試項目。熱忱歡迎來電，我們將竭誠為您服務。
